碳化硅加熱器 硅碳棒是一種電阻式加熱元件,由與反應耦合的高密度碳化硅或高純度再灌裝碳化硅制成,在超過 2,500°C 的溫度下重新結晶之前,可從原料中擠出棒或管子。通過相鄰的顆粒,對顆粒的大小分布進行密切監測,以確保最佳密度和對工藝過程大氣的抵抗力。
QS China 加熱器是為工作溫度高達 1625°C 的爐子制造的,其標準尺寸和幾何形狀種類繁多,或根據客戶的圖紙制造,以滿足不同工藝和設備的具體需求。加熱元件輸出功率高,可垂直和水平安裝,無需特殊支撐。
QS1 加熱器的性能
SIC加熱器適用于大多數應用碳基硅加熱器的工藝。加熱元件采用高純度再生碳化硅的加熱區,在最常見的工藝氣體中經過抗氧化性優化。可作為一條或多條腿的棒材提供。具有高密度-2.52-2.8克/cm3,為加熱元件提供非常高的加熱元件。 延緩的老化特性和高強度。
QS2 加熱器性能
QS2的 SIC 加熱器設計用于傳統碳基硅元件不適合的最復雜的工藝。 QS2 的加熱元件具有高密度、低滲透性、反應耦合碳化硅的熱區,非常耐氧化和化學影響工藝揮發性物質和工藝介質。,7 克/請參閱 3 此加熱器的孔隙度較低,老化率極慢。
DH型標準棒式 SIC 加熱器的主要特性
直徑,毫米 | 最大值長度, 毫米 | 熱區電阻,3/mm | 冷區電阻,3/mm |
10 | 660 | 0,01372 | 0,000686 |
12 | 915 | 0,01009 | 0,000505 |
13 | 1090 | 0,00773 | 0,000387 |
16 | 1250 | 0,00497 | 0,000248 |
20 | 1575 | 0,00341 | 0,000170 |
25 | 1900 | 0,00197 | 0,000098 |
30 | 2210 | 0,00134 | 0,000067 |
35 | 2290 | 0,00106 | 0,000053 |
40 | 2340 | 0,00092 | 0,000046 |
44 | 2670 | 0,00065 | 0,000032 |
54 | 3300 | 0,00059 | 0,000030 |
70 | 5740 | 0,00028 | 0,000020 |
物理屬性
散色密度 | 2.5—2,8g/℃m3 |
孔隙度 | 20% |
導熱性 | 14-19w/m ℃ |
斷裂強度 | 50Mpa (25℃) |
烏德熱強度 | 1.okj/℃ (25-1300℃) |
熱膨脹系數 | 4.5x10-6(1000℃) |
工作溫度
按大氣使用 SIC 加熱器 | |||
大氣 | 最大值 。溫度 | 最大值 。電源 W/cm2 | 效果 |
清潔干燥的空氣 | 1550℃ | Maximum | 單一元素。SIC 加熱可以以高達 1600oC(加熱器最高溫度為 1625oC)的爐速運行。三段式貓加熱器最高溫度為 1427oC。 |
氫氣 DP+75 °F DP-60 °F | 1300℃ 1300℃ 1093℃ | 5 5 5
| 具有百分比氫氣的大氣以高于 1300oC 的速度與SIC發生反應 |
氨 | 1300℃ | 5 | 減少硅薄膜,因為 CH4 在圖片上 |
氮氣 | 1300℃ | 5 | 形成絕緣氮化硅 |
氧氣是干凈的。 | 1315℃ |
| 氧化速度比空氣快。將 LMA 星形元件與輸液釉或 TW、SE、SER 或 SEU 類型一起使用 |
CO2 | 1500℃ | 4 | 不受影響,可以釋放碳 |
CO | 1540℃ | 4 | 不受影響 |
氬氣/氦氣 | 1700℃ | Maximum | 無有害影響 |
水 DP 60°F DP 50°F 0°F - 50°F | 1095℃ 1200℃ 1370℃ 1540℃ | 5 5,5 6,5 7 | 通過形成硅水合物與 Sic 發生反應,請使用覆蓋著 LMA 輸液釉或 TW、SE、SER 或 SEU 類型的 Starbar元素。 |
鹵素 | 700℃ | 4 | 攻擊 SIC 并降低 SiO2 |
碳氫化合物 | 1315℃ | 3 | 來自 C 拾取器的熱點 |
梅坦 | 1315℃ |
| 來自 C 拾取器的熱點 |
干外來水。GAZ | 1400℃ | Maximum | 取決于組成 |
干內皮。GAZ | 1250℃ | Maximum | 取決于組成 |
真空 | 1250℃ | 4 | 7 μm 在蒸汽下蒸發 SIC.僅供短期使用 |
S 和 SO2 | 1315℃ | 4 | 攻擊 SIC |
對于含有水蒸氣、堿性金屬對、流體蒸汽或富氧的大氣,我們建議使用QS3保護涂層加熱器。
保護涂層
QS中國公司開發了特殊的加熱器保護涂層,可延長各種工作條件下的使用壽命,尤其是在化學影響對使用壽命有重大影響的情況下。保護涂層的詳細信息將應要求提供。
QS1 覆蓋范圍
這種涂層由復雜的硅酸鹽玻璃組成,專門設計用于在含有水蒸氣、堿性金屬對、流體對以及使用富氧的工藝(包括) 的大氣中提供高度的化學暴露保護;冶煉和老化有色金屬,熔化和精煉玻璃,焊接,燒結粉末狀金屬組件和預燒結粉末的鋰電池。
QS2 覆蓋范圍
這種涂層是碳化硅/二氧化硅的復合材料。在預處理時,以有機方式涂覆200萬層,然后混合碳化硅和膠體二氧化硅。涂層變硬,提供覆蓋加熱元件外表面的固體涂層。在燒結階段,有機部分燃燒,留下SiC和SiO2。這種涂層充當物理棒。當化學影響加熱元件時。
QS3 覆蓋范圍
基于二氧化鋯/二氧化硅的涂層。當涂在熱區時,涂層充當物理屏障。當涂在冷端時,涂層可防止元件粘附在爐子絕緣上。
使用壽命
所有碳硅加熱器在使用壽命內的電阻都會增加。這種阻力增加的特征稱為老化。老化是以下參數的函數:
- 爐子溫度
- 功率密度(以瓦/厘米為以內)
- 加熱器周圍的氛圍
- 操作模式 - 連續或間歇性
- 操作實踐和使用的功率控制方法
- 操作技術和維護技術
作為SIC 的一般指南,加熱器在 1,400°C 的清潔空氣中連續工作時,每 1,000 小時可提高約 5-6% 的電阻率(在 1,000°C 下每 1,000 小時運行約 3%)。
可互換性
QS中國SIC是一種高品質的高等級碳硅電池,該工廠是中國生產的碳化硅中唯一的優質加熱器制造商。加熱器也可以根據客戶的尺寸和電阻定制,以取代亞洲和歐洲其他制造商提供的元件。 新的加熱器。
易于更換
在工作溫度下,在爐子運行時可以更換SIC加熱器。必須切斷可更換元件的電源,拆下彈簧夾和鋁編織件,拆下舊的SIC加熱器。新的SIC必須以足夠快的速度順利插入熱爐,以確保鋁不會從末端熔化,但不會那么快地引起中暑 <。5>
生產期限
QS中國碳硅加熱器可在收到訂單后2-3周內從工廠運出。在緊急情況下,生產速度可能更快。
加熱器配置
中國QS工廠可以生產尺寸和形狀不標準的加熱器。冷端可能有不同的長度。例如,對于拱形屋頂的爐子來說,這一點是相關的,因為屋頂需要較長的冷端穿過屋頂,更短的冷端穿過地板。
另一個修改是多高溫熱區。這種配置對于需要將額外的熱能進入較低、裝載更密集的隧道爐的過程非常有用。雖然這個特殊修改的熱區不能產生一定的溫度變化,但它提供了一種方便的方式來獲得或多或少的熱能
卓越的性能
SIC加熱器由于其高密度、2.52 - 2.8 克/厘米的密度,將為您提供卓越的性能。
訂單選項要發出報價,請提供以下加熱器信息:
- 加熱器類型:
- 直徑,毫米:
- 熱區長度,毫米:
- 總長度,毫米:
- 額定電阻,3: